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HGT1S10N120BNST 技術仕様
HGT1S10N120BNST datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2017 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 298W |
Current Rating | 35A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Rise Time-Max | 15ns |
Power Dissipation | 298W |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 35A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Max Breakdown Voltage | 1.2kV |
Test Condition | 960V, 10A, 10 Ω, 15V |
Continuous Collector Current | 55A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Switching Energy | 320μJ (on), 800μJ (off) |
Fall Time-Max (tf) | 200ns |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Voltage - Rated DC | 1.2kV |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | HGT1S10N120 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.7V |
Turn On Time | 32 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Turn Off Time-Nom (toff) | 330 ns |
Gate Charge | 100nC |
Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
HGT1S10N120BNST 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください HGT1S10N120BNST
-
データシート
その他には以下が含まれます: "HGT1S" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'HGT1S'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
HGT1S10N120BNS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 3141 |
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 1180 |
HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
HGT1S10N120BNST | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 3181 |
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 5213 |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 647 |
HGT1S12N60A4DS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2995 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 578 |
HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
HGT1S12N60A4S9A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2687 |
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HGT1S10N120BNST ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, HGT1S10N120BNST 参考価格. HGT1S10N120BNST パラメーター, HGT1S10N120BNST データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 HGT1S10N120BNST プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 HGT1S10N120BNST ピン図と回路図と機能の使用方法、 HGT1S10N120BNST エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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