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MBR60040CTRL
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MBR60040CTRL 技術仕様
DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 300A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5mA @ 40V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
MBR60040CTRL 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "MBR60" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MBR600100CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2803 |
MBR600100CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2719 |
MBR600150CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2646 |
MBR600150CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2526 |
MBR600200CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2582 |
MBR600200CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2749 |
MBR60020CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2755 |
MBR60020CTL | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2623 |
MBR60020CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2523 |
MBR60020CTRL | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2576 |
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MBR60040CTRL ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, MBR60040CTRL 参考価格. MBR60040CTRL パラメーター, MBR60040CTRL データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MBR60040CTRL プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MBR60040CTRL ピン図と回路図と機能の使用方法、 MBR60040CTRL エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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