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IXFA180N10T2 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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IXFA180N10T2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFA180N10T2 参考価格. IXFA180N10T2 パラメーター, IXFA180N10T2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFA180N10T2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFA180N10T2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFA180N10T2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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