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IXFH67N10Q 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 33.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
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IXFH60N20 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6174
IXFH60N20F IXYS Corporation 特殊なホットIC 2863
IXFH60N20F CMH82N25 IXYS Corporation 特殊なホットIC 427
IXFH60N25Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2848
IXFH60N50P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23321
IXFH60N50P3 IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFH60N50P3 IC IXYS Corporation 特殊なホットIC 1913
IXFH60N60 IXYS Corporation 特殊なホットIC 1
IXFH60N60X IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2549
IXFH60N65X2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 20809

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IXFH67N10Q ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFH67N10Q 参考価格. IXFH67N10Q パラメーター, IXFH67N10Q データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFH67N10Q プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFH67N10Q ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFH67N10Q エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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