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IXFH6N100F 技術仕様

MOSFET N-CH 1KV 6A TO247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerRF™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFH60N20 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6174
IXFH60N20F IXYS Corporation 特殊なホットIC 2863
IXFH60N20F CMH82N25 IXYS Corporation 特殊なホットIC 427
IXFH60N25Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2848
IXFH60N50P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23321
IXFH60N50P3 IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFH60N50P3 IC IXYS Corporation 特殊なホットIC 1913
IXFH60N60 IXYS Corporation 特殊なホットIC 1
IXFH60N60X IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2549
IXFH60N65X2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 20809

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IXFH6N100F ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFH6N100F 参考価格. IXFH6N100F パラメーター, IXFH6N100F データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFH6N100F プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFH6N100F ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFH6N100F エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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