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IXFN102N30P 技術仕様

MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFN10050P IXYS IGBTモジュール 5356
IXFN100N10 IXYS IGBTモジュール 2984
IXFN100N10S1 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2752
IXFN100N10S2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2711
IXFN100N10S3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2898
IXFN100N20 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1258
IXFN100N25 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2994
IXFN100N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2799
IXFN100N50Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2912
IXFN100N65X2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2796

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IXFN102N30P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN102N30P 参考価格. IXFN102N30P パラメーター, IXFN102N30P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN102N30P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN102N30P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN102N30P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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