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IXFN130N30
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IXFN130N30 技術仕様
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A |
IXFN130N30 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXFN130N30
-
データシート
IXFN130N30.pdf
その他には以下が含まれます: "IXFN1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXFN1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXFN10050P | IXYS | IGBTモジュール | 5356 |
IXFN100N10 | IXYS | IGBTモジュール | 2984 |
IXFN100N10S1 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2752 |
IXFN100N10S2 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2711 |
IXFN100N10S3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2898 |
IXFN100N20 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1258 |
IXFN100N25 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2994 |
IXFN100N50P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2799 |
IXFN100N50Q3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2912 |
IXFN100N65X2 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2796 |
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IXFN130N30 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN130N30 参考価格. IXFN130N30 パラメーター, IXFN130N30 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN130N30 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN130N30 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN130N30 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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