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IXFN21N100Q 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A
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IXFN21N100Q 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFN200N06 IXYS IGBTモジュール 2706
IXFN200N07 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2857
IXFN200N10L2 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2868
IXFN200N10P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2268
IXFN20N120 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2889
IXFN20N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2929
IXFN20N120P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFN20N50 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2979
IXFN210N20P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2774
IXFN210N30P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2720

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IXFN21N100Q ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN21N100Q 参考価格. IXFN21N100Q パラメーター, IXFN21N100Q データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN21N100Q プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN21N100Q ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN21N100Q エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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