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IXFN27N80Q
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IXFN27N80Q 技術仕様
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A |
IXFN27N80Q 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXFN27N80Q
-
データシート
IXFN27N80Q.pdf
その他には以下が含まれます: "IXFN2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXFN2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXFN200N06 | IXYS | IGBTモジュール | 2706 |
IXFN200N07 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2857 |
IXFN200N10L2 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 2868 |
IXFN200N10P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2268 |
IXFN20N120 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2889 |
IXFN20N120P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2929 |
IXFN20N120P | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXFN20N50 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 2979 |
IXFN210N20P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2774 |
IXFN210N30P3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2720 |
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IXFN27N80Q ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN27N80Q 参考価格. IXFN27N80Q パラメーター, IXFN27N80Q データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN27N80Q プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN27N80Q ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN27N80Q エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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