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IXTH3N120 技術仕様

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTH300N04T2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 36685
IXTH30N25 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5821
IXTH30N50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2718
IXTH30N50L IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6010
IXTH30N50L2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5719
IXTH30N50L2 IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXTH30N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2621
IXTH30N60L2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5841
IXTH30N60L2 IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXTH30N60P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363

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IXTH3N120 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTH3N120 参考価格. IXTH3N120 パラメーター, IXTH3N120 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTH3N120 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTH3N120 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTH3N120 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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