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IXTT10N100D 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTT100N25P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2537
IXTT100N25P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXTT10N100D2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5555
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IXTT10N100D ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTT10N100D 参考価格. IXTT10N100D パラメーター, IXTT10N100D データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTT10N100D プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTT10N100D ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTT10N100D エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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