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IXTT10P60 技術仕様

MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTT100N25P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2537
IXTT100N25P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXTT10N100D IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2771
IXTT10N100D2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5555
IXTT10P50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2731
IXTT110N10L2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2511
IXTT110N10P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2792
IXTT11P50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4784
IXTT120N15P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2734
IXTT12N140 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4322

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IXTT10P60 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTT10P60 参考価格. IXTT10P60 パラメーター, IXTT10P60 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTT10P60 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTT10P60 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTT10P60 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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