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IXTY18P10T 技術仕様

MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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IXTY1N80 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2614
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IXTY18P10T ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTY18P10T 参考価格. IXTY18P10T パラメーター, IXTY18P10T データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTY18P10T プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTY18P10T ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTY18P10T エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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