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IXTY1R4N100P
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IXTY1R4N100P 技術仕様
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
IXTY1R4N100P 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXTY1R4N100P
-
データシート
IXTY1R4N100P.pdf
その他には以下が含まれます: "IXTY1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXTY1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXTY10P15T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32363 |
IXTY12N06T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 50327 |
IXTY12N06TTRL | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2520 |
IXTY15N20T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32363 |
IXTY15P15T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1392 |
IXTY18P10T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 68500 |
IXTY1N100P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2623 |
IXTY1N120P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1416 |
IXTY1N80 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2614 |
IXTY1N80P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 33365 |
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IXTY1R4N100P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTY1R4N100P 参考価格. IXTY1R4N100P パラメーター, IXTY1R4N100P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTY1R4N100P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTY1R4N100P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTY1R4N100P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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