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IXTY1R6N100D2 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 800mA, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTY10P15T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
IXTY12N06T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 50327
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IXTY1R6N100D2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTY1R6N100D2 参考価格. IXTY1R6N100D2 パラメーター, IXTY1R6N100D2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTY1R6N100D2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTY1R6N100D2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTY1R6N100D2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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