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BCR 108 B6327 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Base Part Number BCR108
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 170MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2668
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2699
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2711
BCR 103T E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ

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BCR 108 B6327 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, BCR 108 B6327 参考価格. BCR 108 B6327 パラメーター, BCR 108 B6327 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BCR 108 B6327 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BCR 108 B6327 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BCR 108 B6327 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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