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BCR 133 B6327
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BCR 133 B6327 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Base Part Number | BCR133 |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transition Frequency | 130MHz |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2007 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Frequency - Transition | 130MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
BCR 133 B6327 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください BCR 133 B6327
-
データシート
その他には以下が含まれます: "BCR 1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BCR 1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BCR 101L3 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2668 |
BCR 101L3 E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 101T E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2762 |
BCR 101T E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 103F E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2788 |
BCR 103F E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 103L3 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2699 |
BCR 103L3 E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 103T E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2711 |
BCR 103T E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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