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BCR 133S H6444 技術仕様

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Base Part Number BCR133S
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 130MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2668
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2699
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2711
BCR 103T E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ

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BCR 133S H6444 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, BCR 133S H6444 参考価格. BCR 133S H6444 パラメーター, BCR 133S H6444 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BCR 133S H6444 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BCR 133S H6444 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BCR 133S H6444 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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