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BCR 199F E6327 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Discontinued
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Power - Max 250mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Base (R1) 47 k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 70mA
Power Dissipation-Max (Abs) 0.25W
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2668
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2699
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2711
BCR 103T E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ

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BCR 199F E6327 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, BCR 199F E6327 参考価格. BCR 199F E6327 パラメーター, BCR 199F E6327 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BCR 199F E6327 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BCR 199F E6327 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BCR 199F E6327 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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