IPG16N10S461AATMA1 技術仕様

MOSFET 2N-CH 8TDSON

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 29W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 9μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Max Dual Supply Voltage 100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 64A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61m Ω @ 16A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 16A
Drain-source On Resistance-Max 0.061Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 33 mJ
FET Feature Standard
Lead Free Contains Lead
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IPG16N10S4-61 infineon/ 特殊なホットIC 2616
IPG16N10S461AATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2567
IPG16N10S461ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2776
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ
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IPG16N10S461AATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPG16N10S461AATMA1 参考価格. IPG16N10S461AATMA1 パラメーター, IPG16N10S461AATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPG16N10S461AATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPG16N10S461AATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPG16N10S461AATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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