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IPG16N10S461ATMA1 技術仕様

IPG16N10S461ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 29W
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
Power - Max 29W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61m Ω @ 16A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Turn-Off Delay Time 5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.061Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 33 mJ
FET Feature Standard
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form FLAT
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 9μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Rise Time 1ns
Continuous Drain Current (ID) 16A
Max Dual Supply Voltage 100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 64A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 20 pF
Lead Free Contains Lead
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IPG16N10S461ATMA1 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPG16N10S4-61 infineon/ 特殊なホットIC 2616
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IPG16N10S461ATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPG16N10S461ATMA1 参考価格. IPG16N10S461ATMA1 パラメーター, IPG16N10S461ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPG16N10S461ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPG16N10S461ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPG16N10S461ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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