IRFSL3004PBF 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 380W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Ta
Rise Time 220ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 9.65mm
Width 4.83mm
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 380W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75m Ω @ 195A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 130 ns
Continuous Drain Current (ID) 340A
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
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IRFSL11N50A Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 11673
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IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2743
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IRFSL3004PBF ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IRFSL3004PBF 参考価格. IRFSL3004PBF パラメーター, IRFSL3004PBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFSL3004PBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFSL3004PBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFSL3004PBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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