IRFSL4115PBF 技術仕様

MOSFET N-CH 150V 195A TO262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 12.1MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 73ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 9.65mm
Width 4.826mm
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1m Ω @ 62A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5270pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 39 ns
Continuous Drain Current (ID) 99A
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IRFSL11N50A Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 11673
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