IRFSL7530PBF 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
Turn On Delay Time 52 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 141ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 172 ns
Threshold Voltage 3.7V
Drain-source On Resistance-Max 0.002Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 760A
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount, Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Weight 2.084002g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13703pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 411nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 104 ns
Continuous Drain Current (ID) 195A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
REACH SVHC No SVHC
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IRFSL11N50A Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 11673
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IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2743
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