SIGC42T60NCX1SA3 技術仕様

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die
Part Status Last Time Buy
Input Type Standard
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Operating Temperature -55°C~150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 50A, 3.3Ohm, 15V
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 43ns/130ns
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SIGC42T60NCX1SA4 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60NCX1SA5 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60NCX1SA6 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60NCX7SA1 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60SNCX1SA1 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60SNCX1SA2 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60SNCX7SA1 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60UNX1SA1 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60UNX1SA2 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60UNX7SA1 Infineon Technologies 単一IGBT

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