SIGC42T60UNX1SA1 技術仕様

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-XUUC-N3
Number of Elements 1
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 600V
Turn On Time 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 48ns/350ns
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3.15V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Test Condition 400V, 50A, 6.8 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 370 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SIGC42T60NCX7SA1 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60SNCX1SA1 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60SNCX1SA2 Infineon Technologies 単一IGBT
SIGC42T60SNCX7SA1 Infineon Technologies 単一IGBT
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SIGC42T60UNX7SA1 Infineon Technologies 単一IGBT

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