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INN100FQ016A 技術仕様

GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-mobility-transistor (HEMT) in FCQFN with 4.0 mm x 6.0 mm package size.

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / LV GaN HEMT
Manufacturer Innoscience
Factory Lead Time 3 Weeks
Configuration Single
VDS max (V) 100
RDS(on) max (mΩ) 1.8
Qoss (nC) 125
IDPuls max (A) 320
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package FCQFN 4X6
RDS(on)_typ (mΩ) 1.4
QG (nC) 22
ID max (A) 100
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
INN100FQ025A Innoscience LV GaN HEMT
INN100W027A Innoscience LV GaN HEMT
INN100W032A Innoscience LV GaN HEMT
INN100W070A Innoscience LV GaN HEMT
INN100W135A-Q Innoscience LV GaN HEMT

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INN100FQ016A ブランドメーカー: Innoscience, Bonchip ストック, INN100FQ016A 参考価格. INN100FQ016A パラメーター, INN100FQ016A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 INN100FQ016A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 INN100FQ016A ピン図と回路図と機能の使用方法、 INN100FQ016A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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