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INN100W032A 技術仕様

GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-mobility-transistor(HEMT) in Solder Bar WLCSP with 3.5mm x 2.13mm package size.

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / LV GaN HEMT
Manufacturer Innoscience
Factory Lead Time 3 Weeks
Configuration Single
VDS max (V) 100
RDS(on) max (mΩ) 3.2
Qoss (nC) 50
IDPuls max (A) 230
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package WLCSP 3.5X2.13
RDS(on)_typ (mΩ) 2.5
QG (nC) 9.2
ID max (A) 60
Models available
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
INN100FQ016A Innoscience LV GaN HEMT
INN100FQ025A Innoscience LV GaN HEMT
INN100W027A Innoscience LV GaN HEMT
INN100W070A Innoscience LV GaN HEMT
INN100W135A-Q Innoscience LV GaN HEMT

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INN100W032A ブランドメーカー: Innoscience, Bonchip ストック, INN100W032A 参考価格. INN100W032A パラメーター, INN100W032A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 INN100W032A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 INN100W032A ピン図と回路図と機能の使用方法、 INN100W032A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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