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BCR 129L3 E6327 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 250mW
Package / Case SC-101, SOT-883
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package PG-TSLP-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2668
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2699
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR 103T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2711
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BCR 129L3 E6327 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BCR 129L3 E6327 参考価格. BCR 129L3 E6327 パラメーター, BCR 129L3 E6327 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BCR 129L3 E6327 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BCR 129L3 E6327 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BCR 129L3 E6327 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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