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IPB65R099C6ATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 38A TO263

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 127nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Tc)
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IPB65R099C6ATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB65R099C6ATMA1 参考価格. IPB65R099C6ATMA1 パラメーター, IPB65R099C6ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB65R099C6ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB65R099C6ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB65R099C6ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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