DTC014YUBTL 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-85
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package UMT3F
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 70mA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
DTC013ZEBTL LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 600
DTC013ZEBTL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC013ZMT2L LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2717
DTC013ZMT2L ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC013ZMT2L IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 40239
DTC013ZUBTL LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2725
DTC013ZUBTL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC014EEB ROHM 特殊なホットIC 3288
DTC014EEB TL ROHM 特殊なホットIC 1532385
DTC014EEBTL LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30597

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