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DTD114ECHZGT116 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DTD114ECHZGT116TR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Current - Collector Cutoff (Max) -
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DTD114ECHZGT116 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DTD113ECHZGT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2561
DTD113ECHZGT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113ECT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2500
DTD113ECT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113EK ROHM 特殊なホットIC 1133
DTD113EK T146 ROHM 特殊なホットIC 39000
DTD113EKFRAT146 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113EKT146 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 12204
DTD113EKT146 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113ES ROHM 特殊なホットIC 7200

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DTD114ECHZGT116 ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, DTD114ECHZGT116 参考価格. DTD114ECHZGT116 パラメーター, DTD114ECHZGT116 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTD114ECHZGT116 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTD114ECHZGT116 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTD114ECHZGT116 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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