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DTD114GKT146
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DTD114GKT146 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
DTD114GKT146 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTD114GKT146
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データシート
DTD114GKT146.pdf
その他には以下が含まれます: "DTD11" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTD11'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTD113ECHZGT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2561 |
DTD113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTD113ECT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2500 |
DTD113ECT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTD113EK | ROHM | 特殊なホットIC | 1133 |
DTD113EK T146 | ROHM | 特殊なホットIC | 39000 |
DTD113EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTD113EKT146 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 12204 |
DTD113EKT146 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTD113ES | ROHM | 特殊なホットIC | 7200 |
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DTD114GKT146 ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, DTD114GKT146 参考価格. DTD114GKT146 パラメーター, DTD114GKT146 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTD114GKT146 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTD114GKT146 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTD114GKT146 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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