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EMG3T2R 技術仕様
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | EMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
EMG3T2R 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください EMG3T2R
-
データシート
EMG3T2R.pdf
その他には以下が含まれます: "EMG3T" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'EMG3T'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
EMG3T2R | ROHM Semiconductor | BJTトランジスタアレイ |
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輸送方法 | ||
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