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EMG3T2R 技術仕様

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *MG3
Number of Elements 2
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 100
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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EMG3T2R LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 56500

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EMG3T2R ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, EMG3T2R 参考価格. EMG3T2R パラメーター, EMG3T2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 EMG3T2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 EMG3T2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 EMG3T2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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