US6M11TR 技術仕様

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 12V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package UMT6
Power - Max 1W
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A, 1.3A
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
US6M1 ROHM 特殊なホットIC 5302
US6M1 TCR ROHM 特殊なホットIC 30470
US6M1 TR ROHM 特殊なホットIC 5348
US6M11 ROHM 特殊なホットIC 13682
US6M11 TCR ROHM 特殊なホットIC 12631
US6M11TR ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
US6M1TR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 27200
US6M1TR ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ

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