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US6M1TR 技術仕様

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 280MOhm
Subcategory Other Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A 1A
Rise Time 8ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) -12V
Dual Supply Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Height 770μm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Max Power Dissipation 1W
Current Rating 1.4A
Base Part Number 6M1
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240m Ω @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 1A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 2.5 V
Length 2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
US6M1 ROHM 特殊なホットIC 5302
US6M1 TCR ROHM 特殊なホットIC 30470
US6M1 TR ROHM 特殊なホットIC 5348
US6M11 ROHM 特殊なホットIC 13682
US6M11 TCR ROHM 特殊なホットIC 12631
US6M11TR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9276
US6M11TR ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
US6M1TR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 27200

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