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APT20DC120HJ
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APT20DC120HJ 技術仕様
RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1200V |
Technology | Silicon Carbide Schottky |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 20A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 400µA @ 1200V |
APT20DC120HJ 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください APT20DC120HJ
-
データシート
APT20DC120HJ.pdf
その他には以下が含まれます: "APT20" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT20'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | IGBTモジュール | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - シングル | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | 単一IGBT | |
APT200GN60J | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JG | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2632 |
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輸送方法 | ||
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