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APT200GN60B2G
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APT200GN60B2G 技術仕様
IGBT 600V 283A 682W TO247
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
Switching Energy | 13mJ (on), 11mJ (off) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 1180nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 283A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
Td (on/off) @ 25°C | 50ns/560ns |
Power - Max | 682W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
APT200GN60B2G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください APT200GN60B2G
その他には以下が含まれます: "APT20" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT20'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | IGBTモジュール | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | 単一IGBT | |
APT200GN60J | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JG | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2632 |
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBTモジュール |
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ショッピングガイド
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輸送方法 | ||
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