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APT20M11JVR
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APT20M11JVR 技術仕様
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS V® |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 175A |
APT20M11JVR 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください APT20M11JVR
その他には以下が含まれます: "APT20" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT20'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | IGBTモジュール | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - シングル | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | 単一IGBT | |
APT200GN60J | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT200GN60JG | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2632 |
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APT20M11JVR ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, APT20M11JVR 参考価格. APT20M11JVR パラメーター, APT20M11JVR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 APT20M11JVR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 APT20M11JVR ピン図と回路図と機能の使用方法、 APT20M11JVR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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