112MT120KB 技術仕様

RECT BRIDGE 1200V 110A MTK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) 1200V
Technology Standard
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type Three Phase
Current - Average Rectified (Io) 110A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If -
Supplier Device Package MTK
Package / Case MTK
Mounting Type Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 20mA @ 1200V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
112MT020KB IR 特殊なホットIC 2950
112MT040KB IR 特殊なホットIC 2735
112MT060KB IR 特殊なホットIC 2726
112MT080KB IR 特殊なホットIC 2727
112MT100K IR IGBTモジュール 2627
112MT100KB IR IGBTモジュール 2755
112MT100KBS90 IR IGBTモジュール 2605
112MT120K IR IGBTモジュール 2777
112MT120KB Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2613
112MT120KB Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器

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