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2N6052 技術仕様
TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 150W |
Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 6A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Supplier Device Package | TO-3 |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
2N6052 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください 2N6052
-
データシート
2N6052.pdf
その他には以下が含まれます: "2N605" 部品
次の部分には次のものが含まれます '2N605'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
2N6050 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 24 |
2N6051 | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 573 |
2N6052 | Central Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 5231 |
2N6052 | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 3168 |
2N6052 | Rochester Electronics, LLC | 単一BJTトランジスタ | |
2N6052 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
2N6052G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 16850 |
2N6052G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
2N6055 | Central Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2506 |
2N6055 PBFREE | Central Semiconductor Corp | 単一BJTトランジスタ |
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2N6052 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, 2N6052 参考価格. 2N6052 パラメーター, 2N6052 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2N6052 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2N6052 ピン図と回路図と機能の使用方法、 2N6052 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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