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FDS3601 技術仕様

MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 900mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SO
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 1.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FDS3601 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 7650
FDS3601 Rochester Electronics, LLC MOSFETトランジスタアレイ
FDS3601 ON Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
FDS3601 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 80360
FDS3601-NL F 特殊なホットIC 16071
FDS3601N F 特殊なホットIC 17585
FDS3601N MOS VBSEMI 特殊なホットIC 17920
FDS3601_NL Original 特殊なホットIC 514
FDS3612 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 916
FDS3612 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3246

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FDS3601 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDS3601 参考価格. FDS3601 パラメーター, FDS3601 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDS3601 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDS3601 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDS3601 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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