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IXFN27N120SK
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IXFN27N120SK 技術仕様
SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ |
Manufacturer | IXYS |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Standard |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Chassis Mount |
Part Status | Active |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V 1.2kV |
IXFN27N120SK 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXFN27N120SK
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IXFN2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXFN2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXFN200N06 | IXYS | IGBTモジュール | 2706 |
IXFN200N07 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2857 |
IXFN200N10L2 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 2868 |
IXFN200N10P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2268 |
IXFN20N120 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2889 |
IXFN20N120P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2929 |
IXFN20N120P | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXFN20N50 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 2979 |
IXFN210N20P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2774 |
IXFN210N30P3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2720 |
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