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IXFR32N80P 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case ISOPLUS247™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFR30N110P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2789
IXFR30N50 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2815
IXFR30N50Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2809
IXFR30N60P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
IXFR32N100P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2510
IXFR32N100Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2503
IXFR32N50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2660
IXFR32N50Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2900
IXFR32N80P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFR32N80Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2610

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IXFR32N80P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFR32N80P 参考価格. IXFR32N80P パラメーター, IXFR32N80P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFR32N80P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFR32N80P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFR32N80P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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