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IXFT320N10T2 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 1000W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 320A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFT30N40Q IXYS Corporation 特殊なホットIC 3789
IXFT30N50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2796
IXFT30N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2707
IXFT30N50Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3432
IXFT30N50Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4222
IXFT30N60P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2777
IXFT30N60Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2606
IXFT30N60X IXYS Corporation 特殊なホットIC 3432
IXFT30N85XHV IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2692
IXFT320N10T2 IXYS 単一MOSFETトランジスタ

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IXFT320N10T2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFT320N10T2 参考価格. IXFT320N10T2 パラメーター, IXFT320N10T2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFT320N10T2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFT320N10T2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFT320N10T2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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