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IXTN660N04T4 技術仕様

40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchT4™
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 860nC @ 10V
FET Feature Current Sensing
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±15V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.85 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 44000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 660A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTN600N04T2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2716
IXTN60N50L2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1346
IXTN61N50 IXYS IGBTモジュール 2781
IXTN62N50L IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2968
IXTN660N04T4 IXYS 単一MOSFETトランジスタ

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IXTN660N04T4 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTN660N04T4 参考価格. IXTN660N04T4 パラメーター, IXTN660N04T4 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTN660N04T4 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTN660N04T4 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTN660N04T4 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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