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KBU8K
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KBU8K 技術仕様
DIODE BRIDGE 800V 8A KBU
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Supplier Device Package | KBU |
Package / Case | 4-SIP, KBU |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 800V |
KBU8K 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください KBU8K
-
データシート
1.KBU8K.pdf 2.KBU8K.pdf
その他には以下が含まれます: "KBU8K" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'KBU8K'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
KBU8K | Fairchild/ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 5287 |
KBU8K | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 3152 |
KBU8K | ON Semiconductor | ブリッジ整流器 | |
KBU8K | Rochester Electronics, LLC | ブリッジ整流器 | |
KBU8K IC | Fairchild/ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 900 |
KBU8K-E3/51 | VIS | 特殊なホットIC | 4700 |
KBU8K-E4/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 3094 |
KBU8K-E4/51 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 1267 |
KBU8K-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 |
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