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MIO1200-33E11 技術仕様

IGBT MODULE SGL 1200A E11

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Supplier Device Package E11
Package / Case E11
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce -
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 1200A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1200A
Power - Max -
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 120mA
Configuration Single Switch
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MIO1200-25E10 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - モジュール 2752
MIO1200-25E10 IXYS IGBTモジュール
MIO1200-33E10 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - モジュール 2722
MIO1200-33E10 IXYS IGBTモジュール
MIO1200-33E11 IXYS IGBTモジュール

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MIO1200-33E11 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, MIO1200-33E11 参考価格. MIO1200-33E11 パラメーター, MIO1200-33E11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MIO1200-33E11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MIO1200-33E11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 MIO1200-33E11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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