MS2212 技術仕様

TRANS RF BIPO 50W 1.8A M222

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package M222
Packaging Bulk
Operating Temperature 250°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 960MHz ~ 1.215GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 1.8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 50W
Package / Case M222
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 8.1dB ~ 8.9dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 500mA, 5V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
MS221-2.00M-1% Caddock Electronics, Inc. 特殊なホットIC 58
MS221-365K-1% Caddock Electronics, Inc. 特殊なホットIC 1750
MS221-732K-1% Caddock Electronics, Inc. 特殊なホットIC 200
MS2210 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2711
MS2210 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS2210A Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2760
MS2210A Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS2211 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2663
MS2211 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS2212 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ

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